2. 溫度影響：晶界勢壘的 “低 - 高” 溫突變
，核心差異在于 “晶界層的勢壘高度” 隨溫度的變化：
（1）低溫區(qū)（T＜Tc，鐵電相）：電阻值低且緩慢降低
晶界層的 “空間電荷區(qū)” 形成低勢壘：低溫時
，鈦酸鋇晶粒為鐵電相
，晶格存在自發(fā)極化（正、負(fù)電荷在晶界兩側(cè)聚集
，形成 “空間電荷區(qū)”）
；同時，晶界層吸附的氧離子（O2?）會與晶粒中的自由電子結(jié)合
，形成 “耗盡層”—— 此時晶界層的勢壘高度較低（≈0.1~0.2eV）
，自由電子可通過 “隧道效應(yīng)” 或 “熱激發(fā)” 越過勢壘，因此整體電阻值低（通常為幾百～幾千 Ω）
。
溫度升高的輕微影響：低溫區(qū)溫度升高時
，自由電子熱運(yùn)動能量增強(qiáng)，越過勢壘的概率增加
，電阻值會緩慢降低（類似 NTC 效應(yīng)，但變化幅度小
，僅 10%~50%）
。
（2）居里溫度附近（T≈Tc）：晶格相變觸發(fā)勢壘驟升
當(dāng)溫度升高至 “居里溫度（Tc，鈦酸鋇基陶瓷的 Tc 通常為 120~400℃
，可通過摻雜調(diào)整）” 時
，鈦酸鋇晶粒從 “鐵電相” 轉(zhuǎn)變?yōu)?“順電相”，晶格自發(fā)極化消失 —— 這一相變會引發(fā)兩個關(guān)鍵變化：
空間電荷區(qū)瓦解：自發(fā)極化消失導(dǎo)致晶界兩側(cè)的電荷聚集效應(yīng)減弱
，空間電荷區(qū)厚度減?div id="4qifd00" class="flower right">
。?br>氧離子吸附增強(qiáng)：順電相晶格更穩(wěn)定
，晶界層吸附更多氧離子
，耗盡層厚度顯著增加（自由電子被大量捕獲）—— 兩者共同作用，使晶界層的勢壘高度從 0.1eV 驟升至 0.5~1.0eV
。
（3）高溫區(qū)（T＞Tc
，順電相）：電阻值急劇升高并趨于穩(wěn)定
勢壘驟升導(dǎo)致電阻突變：勢壘高度升高后，自由電子越過勢壘的概率大幅降低（按指數(shù)規(guī)律衰減）
，晶界層電阻從 10?Ω?cm 驟升至 101?Ω?cm 以上
，整體電阻值隨之急劇升高（例如：Tc=150℃的 PTC 電阻，140℃時電阻為 1kΩ，160℃時電阻可達(dá) 100kΩ
，變化幅度 100 倍）
。
高溫穩(wěn)定性：溫度超過 Tc 后，晶格結(jié)構(gòu)穩(wěn)定（順電相）
，勢壘高度不再顯著變化
，電阻值隨溫度升高僅緩慢增加（趨于穩(wěn)定），避免電阻無限制升高導(dǎo)致元件燒毀
。
3. 核心功能原理：過熱保護(hù)與限流
PTC 耐高溫?zé)崦綦娮璧?“居里點(diǎn)后電阻突變” 特性
，使其天生適合 “過熱保護(hù)” 和 “限流” 場景，以 “電機(jī)過熱保護(hù)” 為例：
正常工作（T＜Tc）：電機(jī)溫度低于 Tc（如 150℃）
，PTC 電阻值低（≈100Ω）
，串聯(lián)在電機(jī)電路中時，分壓小
，不影響電機(jī)正常運(yùn)行
；
過熱故障（T＞Tc）：電機(jī)因堵轉(zhuǎn)、過載導(dǎo)致溫度升至 160℃（超過 Tc）
，PTC 電阻值驟升至 10kΩ 以上
，電路總電阻急劇增大，電流從額定 10A 降至 0.1A 以下
，電機(jī)停止工作（避免燒毀）
；
故障排除后自恢復(fù)：電機(jī)溫度降至 Tc 以下，PTC 電阻值恢復(fù)低阻狀態(tài)
，電路自動導(dǎo)通
，電機(jī)可重新工作（無需更換元件，區(qū)別于一次性保險絲）
。
4. 高溫適配設(shè)計(jì)：突破常規(guī) PTC 的溫度上限
常規(guī)鈦酸鋇基 PTC 電阻的 Tc 最高約 400℃
，超高溫場景（如 600℃）需采用 SrTiO?基 PTC 電阻，其原理差異在于：
SrTiO?無鐵電相變（無傳統(tǒng)居里溫度）
，但通過摻雜過渡金屬（如 Cr
、Nb）和引入晶界缺陷，可在高溫下（400~600℃）形成 “熱激發(fā)型晶界勢壘”—— 溫度升高時
，晶界缺陷捕獲自由電子的能力增強(qiáng)
，勢壘高度驟升，實(shí)現(xiàn)類似 PTC 的電阻突變效應(yīng)
，適配更高溫的保護(hù)場景（如航空發(fā)動機(jī)附件保護(hù)）
。
？簡單介紹一下！">什么是小皮線熱敏電阻？簡單介紹一下
！
、核心基礎(chǔ)：半導(dǎo)體材料的 “溫度 - 電阻” 關(guān)系本質(zhì)
