，若溫差大（如＞10℃），需對(duì) NTC 進(jìn)行熱屏蔽（如套薄壁金屬套管
，僅感溫面接觸被測(cè)物）
，減少環(huán)境熱輻射干擾。
潮濕環(huán)境中使用時(shí)
，需對(duì)芯片進(jìn)行防潮封裝（如涂覆聚酰亞胺涂層
，厚度 0.01-0.03mm），防止水汽滲入電極（導(dǎo)致阻值漂移）
。
四
、參數(shù)匹配與使用條件
關(guān)鍵參數(shù)適配
阻值與 B 值：根據(jù)測(cè)量范圍選擇（如 - 40~125℃常用 10kΩ@25℃，B 值 3950K）
，確保在目標(biāo)溫度段內(nèi)阻值變化率高（靈敏度≥1%/℃）
。
功率系數(shù)：超薄 NTC 功率系數(shù)低（通常≤5mW/℃）
，需計(jì)算最大允許功耗（如環(huán)境溫度 60℃時(shí)
，最大功耗≤(125-60)×5mW=325mW），避免過(guò)熱損壞
。
使用溫度范圍
不超過(guò)芯片額定溫度（通常 - 55~150℃）
，高溫環(huán)境（如＞100℃）需確認(rèn)封裝耐溫性（如聚酰亞胺封裝耐溫≤200℃，陶瓷封裝≤300℃）
，超溫會(huì)導(dǎo)致阻值永久漂移。
五
、存儲(chǔ)與老化處理
存儲(chǔ)條件
存放于干燥（濕度≤40% RH）
、陰涼（溫度 10-30℃）環(huán)境，遠(yuǎn)離腐蝕性氣體（如硫化氫
、氯氣）
，芯片需用防靜電托盤(pán)分隔（避免相互摩擦刮傷）。
長(zhǎng)期存儲(chǔ)（＞6 個(gè)月）后
，使用前需進(jìn)行老化處理（在 85℃環(huán)境中放置 24 小時(shí)
，恢復(fù)阻值穩(wěn)定性）。
預(yù)處理
新芯片使用前
，用無(wú)水乙醇清潔表面（去除生產(chǎn)殘留的助焊劑）
，自然晾干（避免高溫烘干，防止材料應(yīng)力變化）
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