。
異常情況：
溫度變化時(shí)，電阻值幾乎不變或變化幅度遠(yuǎn)小于標(biāo)稱(chēng)范圍（如標(biāo)稱(chēng) 25℃時(shí) 10kΩ 的 NTC
，50℃時(shí)應(yīng)降至約 3kΩ
，若仍為 8kΩ 則異常）；
電阻值忽大忽小
，無(wú)穩(wěn)定變化規(guī)律（可能是內(nèi)部元件接觸不良或老化）
。
穩(wěn)定性差，參數(shù)漂移嚴(yán)重
短期使用后
，在相同溫度下
，電阻值與初始值偏差超過(guò)規(guī)格書(shū)允許范圍（通常要求≤±10%，高精度場(chǎng)景≤±5%）
；
多次冷熱循環(huán)（如從 - 20℃到 85℃）后
，電阻值偏移量超標(biāo)，無(wú)法恢復(fù)初始性能
。
過(guò)熱損壞或燒毀
正常 PTC 熱敏電阻在過(guò)流時(shí)會(huì)因自熱進(jìn)入高阻狀態(tài)（限流保護(hù)）
，溫度下降后恢復(fù)低阻；若直接燒毀
、開(kāi)裂或冒煙
，可能是額定功率不足（質(zhì)量差的產(chǎn)品功率余量小）或材質(zhì)缺陷
。
NTC 熱敏電阻在正常散熱條件下
，若出現(xiàn)外殼變形、引線(xiàn)脫落
，可能是封裝工藝差或耐高溫性能不達(dá)標(biāo)
。
響應(yīng)速度慢
對(duì)溫度變化的反應(yīng)延遲明顯（如環(huán)境溫度驟升后，電阻值需數(shù)秒甚至數(shù)十秒才達(dá)到穩(wěn)定值
，而優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品通常在 1-3 秒內(nèi)響應(yīng)）
，可能是內(nèi)部芯片熱傳導(dǎo)性能差。
二
、通過(guò)專(zhuān)業(yè)參數(shù)檢測(cè)判斷（結(jié)合儀器）
若需精準(zhǔn)判斷
，需借助工具測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)
，與規(guī)格書(shū)對(duì)比：
標(biāo)稱(chēng)電阻值（R??）檢測(cè)
方法：在 25℃恒溫環(huán)境中，用高精度萬(wàn)用表測(cè)量電阻值
，與產(chǎn)品標(biāo)稱(chēng)的 “R??”（25℃時(shí)的電阻）對(duì)比
。
合格標(biāo)準(zhǔn)：偏差需在規(guī)格書(shū)允許范圍內(nèi)（如 ±1%、±5%
、±10%，精度等級(jí)越高
，偏差要求越嚴(yán)）
。
例：標(biāo)稱(chēng) R??=10kΩ±5% 的 NTC，實(shí)測(cè)值需在 9.5kΩ-10.5kΩ 之間
，超出則質(zhì)量不達(dá)標(biāo)
。
B 值（材料常數(shù)）檢測(cè)
意義：B 值反映 NTC 熱敏電阻的溫度靈敏度，B 值越大
，電阻隨溫度變化越顯著
，且應(yīng)保持穩(wěn)定。
方法：分別測(cè)量?jī)蓚€(gè)溫度點(diǎn)（如 25℃和 50℃）的電阻值 R?
、R?
，通過(guò)公式計(jì)算 B 值：（T 為熱力學(xué)溫度，即攝氏溫度 + 273.15）
合格標(biāo)準(zhǔn)：計(jì)算值與標(biāo)稱(chēng) B 值（如 B25/50=3950K）的偏差需≤±2%
，否則一致性差
，影響測(cè)溫精度。
額定功率與耗散系數(shù)檢測(cè)
額定功率：熱敏電阻長(zhǎng)期工作不損壞的最大功耗
，質(zhì)量差的產(chǎn)品可能虛標(biāo)（如標(biāo)稱(chēng) 0.5W
，實(shí)際 0.3W 就過(guò)熱）。
耗散系數(shù)（δ）：?jiǎn)挝粶囟茸兓璧墓β?div id="d48novz" class="flower left">
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