NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用,氮化鎵(GaN)快充體積小
氮化鎵(GaN)是研制微電子器件
據(jù)《中國電子報》報道:續(xù)航能力是手機、筆記本電腦等3C產(chǎn)品的關(guān)鍵指標
由于價格高、品牌認可度低等原因
小米氮化鎵充電器采用了納微半導體的 GaNFast功率IC。納微半導體表示
,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導體材料,其運行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對小米10 PRO 進行0 至100%的充電,充電器體積則是標準適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時,也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效、輕量化等特點。未來隨著家電節(jié)能和能耗要求越來越嚴,第三代半導體作為電源或家電變頻器將成為必然選擇。第三代半導體主要特征是電 源輕量化和高效化,未來的筆記本電腦和手機的電源充電器體積將大幅微縮,很可能融進線纜中時恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器,在快充里的對應(yīng)型號是MF72
駐馬店NTC駐馬店熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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