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NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用,氮化鎵(GaN)快充體積小
氮化鎵(GaN)是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料
據(jù)《中國(guó)電子報(bào)》報(bào)道:續(xù)航能力是手機(jī)
、筆記本電腦等3C產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)。作為破解 續(xù)航問(wèn)題的新思路,氮化鎵充電器早已在CES嶄露頭角由于價(jià)格高、品牌認(rèn)可度低等原因
小米氮化鎵充電器采用了納微半導(dǎo)體的 GaNFast功率IC
。納微半導(dǎo)體表示,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對(duì)小米10 PRO 進(jìn)行0 至100%的充電,充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時(shí)時(shí)恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器
,在快充里的對(duì)應(yīng)型號(hào)是MF72、MF73T-1型的功率型D3、D5、D7產(chǎn)品,最大穩(wěn)態(tài)電流可以做到3.5A新華NTC新華熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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