NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用
氮化鎵(GaN)是研制微電子器件
據(jù)《中國(guó)電子報(bào)》報(bào)道:續(xù)航能力是手機(jī)
由于價(jià)格高
小米氮化鎵充電器采用了納微半導(dǎo)體的 GaNFast功率IC
。納微半導(dǎo)體表示,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對(duì)小米10 PRO 進(jìn)行0 至100%的充電,充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時(shí),也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效、輕量化等特點(diǎn)。未來(lái)隨著家電節(jié)能和能耗要求越來(lái)越嚴(yán),第三代半導(dǎo)體作為電源或家電變頻器將成為必然選擇。第三代半導(dǎo)體主要特征是電 源輕量化和高效化,未來(lái)的筆記本電腦和手機(jī)的電源充電器體積將大幅微縮,很可能融進(jìn)線纜中。使用第三代半導(dǎo)體后時(shí)恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器
天水NTC天水熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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