NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用,氮化鎵(GaN)快充體積小
,功率大,對(duì)NTC熱敏電阻器的選用就更加重要了。氮化鎵(GaN)是研制微電子器件
據(jù)《中國(guó)電子報(bào)》報(bào)道:續(xù)航能力是手機(jī)
由于價(jià)格高
小米氮化鎵充電器采用了納微半導(dǎo)體的 GaNFast功率IC
。納微半導(dǎo)體表示,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對(duì)小米10 PRO 進(jìn)行0 至100%的充電,充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時(shí),也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效時(shí)恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器
桑珠孜NTC桑珠孜熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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