NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用
氮化鎵(GaN)是研制微電子器件
、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,常被用在高功率、高速的光電元件中,在航天和軍事領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。而應(yīng)用在電源類產(chǎn)品上可以在超小的體積上實現(xiàn)大功率輸出,改變行業(yè)設(shè)計制造方案、改變消費者使用習(xí)慣。據(jù)《中國電子報》報道:續(xù)航能力是手機、筆記本電腦等3C產(chǎn)品的關(guān)鍵指標(biāo)
。作為破解 續(xù)航問題的新思路,氮化鎵充電器早已在CES嶄露頭角。Dialog 在CES2018展示氮化鎵充電技術(shù),證實采用氮化鎵技術(shù)的適配器尺寸能縮小50%。在CES2019,納微半導(dǎo)體推出了支持 USB PD 快充的 30W、65W 氮化鎵充電器。今年年初的 CES2020,傲基、倍思等30余家廠商展示了60余款氮化鎵充電器方案。由于價格高、品牌認(rèn)可度低等原因
小米氮化鎵充電器采用了納微半導(dǎo)體的 GaNFast功率IC。納微半導(dǎo)體表示
,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導(dǎo)體材料,其運行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對小米10 PRO 進行0 至100%的充電,充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時,也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效、輕量化等特點。未來隨著家電節(jié)能和能耗要求越來越嚴(yán),第三代半導(dǎo)體作為電源或家電變頻器將成為必然選擇。第三代半導(dǎo)體主要特征是電 源輕量化和高效化,未來的筆記本電腦和手機的電源充電器體積將大幅微縮,很可能融進線纜中。使用第三代半導(dǎo)體后,快速充電和無線 電的速度和效率也有非常高的提升空間,彌補鋰離子電池的容量缺陷。未來三年氮化鎵充電器銷量會快速增長。時恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器,在快充里的對應(yīng)型號是MF72
、MF73T-1型的功率型D3、D5、D7產(chǎn)品,最大穩(wěn)態(tài)電流可以做到3.5A,最大充電容量可達(dá)150μF,性能突出,也一直在為各式快充配套。很早就通過了權(quán)威的國際產(chǎn)品認(rèn)證如:CQC標(biāo)志認(rèn)證、UL,C-UL紅旗NTC紅旗熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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