NTC熱敏電阻器在快充中起到減小上電浪涌的作用
氮化鎵(GaN)是研制微電子器件
據(jù)《中國電子報》報道:續(xù)航能力是手機
由于價格高
小米氮化鎵充電器采用了納微半導(dǎo)體的 GaNFast功率IC
。納微半導(dǎo)體表示,GaNFast功率IC采用的氮化鎵是一種新的半導(dǎo)體材料,其運行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍,45分鐘即可對小米10 PRO 進行0 至100%的充電,充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比,氮化鎵能夠承受更高的工作電壓,可實現(xiàn)更高的功率密度,在提升充電效率的同時,也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效、輕量化等特點。未來隨著家電節(jié)能和能耗要求越來越嚴(yán)時恒電子生產(chǎn)的小尺寸大功率NTC熱敏電阻器
儋州NTC儋州熱敏電阻器助力氮化鎵(GaN)快充異軍突起
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