郴州NTC郴州熱敏電阻器助力氮化鎵（GaN）快充異軍突起

，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅電源芯片快100 倍，45分鐘即可對(duì)小米10 PRO 進(jìn)行0 至100％的充電，充電器體積則是標(biāo)準(zhǔn)適配器尺寸的一半。與硅相比，氮化鎵能夠承受更高的工作電壓，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，在提升充電效率的同時(shí)，也在變頻變壓等功率管理領(lǐng)域有應(yīng)用潛能。使用氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體的電源產(chǎn)品具有變頻效率高、抗高溫、高能效、輕量化等特點(diǎn)。未來隨著家電節(jié)能和能耗要求越來越嚴(yán)，第三代半導(dǎo)體作為電源或家電變頻器將成為必然選擇。第三代半導(dǎo)體主要特征是電 源輕量化和高效化，未來的筆記本電腦和手機(jī)的電源充電器體積將大幅微縮，很可能融進(jìn)線纜中。使用第三代半導(dǎo)體后，快速充電和無線 電的速度和效率也有非常高的提升空間